出版社:清华大学出版社
年代:2017
定价:49.0
拓扑绝缘体是目前物理学热点领域之一,对其磁掺杂是实现新奇量子效应的有效途径;寻找新型拓扑材料是提升拓扑绝缘体性能的重点。在该论文中作者在此前的理论和实验的基础上,运用电子结构计算和低能有效模型,结合实验数据,系统分析了Cr掺杂Bi2Se3、Sb2Te3等材料的电子结构,对形成磁序及发生拓扑相变的条件展开理论探索;同时成功预测新型拓扑材料。
书籍详细信息 | |||
书名 | 磁掺杂拓扑绝缘体拓扑性质研究及新型拓扑材料的寻找站内查询相似图书 | ||
丛书名 | 清华大学优秀博士学位论文丛书 | ||
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出版地 | 北京 | 出版单位 | 清华大学出版社 |
版次 | 1版 | 印次 | 1 |
定价(元) | 49.0 | 语种 | 简体中文 |
尺寸 | 23 × 19 | 装帧 | 精装 |
页数 | 印数 | 800 |
磁掺杂拓扑绝缘体拓扑性质研究及新型拓扑材料的寻找是清华大学出版社于2018.出版的中图分类号为 TM21 的主题关于 绝缘体-拓扑特点-研究 的书籍。