书籍简介:

本书针对CMOS集成电路中主要的三种单粒子效应失效模式SEU、SET和MBU，分别从建模和加固两个方面对进行了研究，包括RHBD和SOI工艺的加固方法、加固存储单元的多节点翻转的模拟分析、SET脉冲建模和SET错误率计算在内的多项内容。

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	9787567304116 如需购买下载《CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固》pdf扫描版电子书或查询更多相关信息，请直接复制isbn,搜索即可全网搜索该ISBN
出版地	长沙	出版单位	国防科技大学出版社
版次	1版	印次	1
定价(元)	25.0	语种	简体中文
尺寸	20 × 14	装帧	平装
页数		印数

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CMOS集成电路单粒子效应的建模与加固是国防科技大学出版社于2015.9出版的中图分类号为 TN432 的主题关于 CMOS电路－模拟集成电路的书籍。